44000円(税別)。2013年初版１刷。NTS社。箱に傷み汚れあり。他に書き込みや目立つ汚れなど無し(出品前に一通り確認していますが、見逃しがございましたらご容赦下さい)。。 

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出版社紹介文●デバイスの高性能化に欠な高品質な半導体材料を得るための「結晶成長技術」を紹介●次世代の各種ポストシリコン半導体を材料別に詳述●一流の執筆陣による最新の知見を掲載

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もくじ
序論 1. 次世代エレクトロニクス分野の課題と期待2. 次世代結晶性半導体薄膜形成の課題   結晶性半導体ナノ薄膜の成膜と電子物性に関する物質科学
第1章 ヘテロエピタキシーの基礎 佐藤 勝昭1. はじめに2. エピタキシーとは何か3. ヘテロエピタキシーと格子整合4. 熱膨張係数差5. 極性・無極性ヘテロ成長－アンチフェイズドメイン6. 格子不整合がエピタキシャル成長に与える影響7. 異種原子価ヘテロ成長－Ⅲ－Ⅴ族半導体基板上へのⅡ－Ⅵ族半導体層のエピタキシャル成長8. 格子不整合度がある場合に転位を抑制する成長技術9. 成長領域選択成長（マイクロチャネルエピタキシー）によるミスフィット転位の軽減10. ナノワイヤ成長における臨界膜厚増大とナノワイヤを用いた縦型トランジスタの実現11. おわりに第2章 結晶性半導体エピタキシャル成長の量子論 押山 淳1. ナノ成膜と量子論2. エナージェティクスとダイナミクス3. 密度汎関数理論による大規模・長時間計算4. シリコン表面上の拡散・成長・酸化5. 展望第3章 CVD 法によるSiGe（C）系エピタキシャル成長における原子層成長制御と原子層ドーピング1. はじめに2. CVD 法によるSiGe（C）系エピタキシャル成長3. SiGe（C）系原子層成長と原子層ドーピング4. まとめ   ポストシリコン半導体ナノ薄膜結晶成長と構造電子物性制御
第1章 ワイドギャップ半導体SiC第1節 省エネルギー半導体開発を先駆するSiC 開発の現状1. はじめに2. パワーエレクトロニクス革新の意義、重要性3. ワイドギャップ半導体と電力変換器への効能4. Si デバイスとSiC デバイスの違い5. SiC 半導体パワーデバイス開発の現状6. 薄膜形成技術としての今後の課題7. まとめ第2節 ワイドギャップ半導体の表面とエピタキシャル成長 北畠 真1. はじめに2. SiC の結晶多形3. SiC の表面構造とエピタキシャル成長4. CVD エピタキシャル成長とδドープ層状構造5. SiC － DioMOS デバイス6. おわりに第3節 CVD によるSiC のエピタキシャル成長メカニズム 石田 夕起1. はじめに2. SiC エピタキシャル成長の特徴3. ステップフロー制御エピタキシー法4. SiC におけるエピタキシャル成長の阻害メカニズム5. まとめ第4節 SiC デバイスプロセスにおける新規表面・界面改質技術1. はじめに2. SiC のMOS デバイス作製プロセス3. POCl3 アニールによる界面準位および界面近傍酸化膜トラップの低減4. SiO2/SiC 界面に導入した原子の化学結合状態5. POCl3 アニールによるMOSFET 特性の改善6. MOSFET 特性の温度依存性7. まとめ
第2章 Ⅲ族－窒素物系半導体第1節 窒化物半導体の特徴とデバイス動向 竹内 哲也1. はじめに2. 窒化物半導体の特徴3. 窒化物半導体デバイスの動向4. おわりに第2節 窒化物半導体結晶工学と薄膜成長制御1. 低温バッファ層によるGaN 単結晶薄膜成長2. ELO 技術による転位の低減3. GaN 薄膜成長における極性制御4. 非極性面の薄膜成長5. おわりに
第3章 Ⅳ族高移動度半導体Ge第1節 Ge CMOS 開発におけるゲート酸化膜形成の界面制御 鳥海 明1. はじめに2. Ge の界面制御3. MOSFET 技術4. まとめ第2節 ウエハボンディングによるGe － On － Insulator 基板の開発と界面制御1. はじめに2. GeOI 基板ウエハボンディング技術3. GeOI 基板におけるGe/BOX 界面の原子的・化学的構造4. GeOI 基板におけるGe/BOX 界面の電気的特性5. 高キャリア移動度Ge（111）－ OI 基板6. 低界面準位密度GeOI 基板のためのAl2O3/SiO2 ハイブリッドBOX 層7. まとめ第3節 Ge エピタキシャル成長と薄膜構造制御 中塚 理1. Ge 薄膜のエピタキシャル成長技術2. ヘテロエピタキシャル成長と転位構造の制御3. Ge 表面偏析の制御4. 不純物偏析およびキャリア物性の制御5. おわりに
第4章 Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体第1節 Ⅲ－Ⅴ族化合物半導体のナノ構造エピタキシャル成長機構1. はじめに2. MEE の成長プロセス3. MEE 法による選択エピタキシャル成長4. 微細構造に表れるファセット構造5. As4 を用いたMEE 法によるGaAs（001）基板上へのドット構造成長6. As2 を用いたMEE 法によるGaAs（001）基板上へのSAE7. As4 を用いた（111）B 面上のGaAs のSAE8. As2 を用いた（111）B 面上のGaAs のSAE9. おわりに第2節 テラヘルツエレクトロニクスにおけるInP 系化合物半導体バンドエンジニアリングと結晶成長制御 杉山 弘樹1. はじめに2. InP 系化合物半導体バンドエンジニアリングと結晶成長3. InP 系HEMT におけるバンドエンジニアリングとエピタキシャル結晶成長4. InP 系RTD におけるバンドエンジニアリングとエピタキシャル結晶成長5. まとめ第3節 MOCVD 法による化合物半導体のエピタキシャル成長とデバイス開発展望1. はじめ2. MOCVD 法エピタキシャル成長設備の概要3. GaAs 系半導体結晶のMOCVD 法エピタキシャル成長とデバイス応用例4. 今後のデバイス開発展望第4節 次世代半導体としての化合物半導体のポテンシャルとデバイス開発の現状1. Si プラットフォーム上のロジック用Ⅲ－Ⅴ MOSFET の必要性と課題2. Si プラットフォーム上Ⅲ－Ⅴ MOSFET のチャネル材料と構造3. Si プラットフォーム上Ⅲ－Ⅴ MOSFET 実現のための要素技術4. Si プラットフォーム上Ⅲ－Ⅴ MOSFET の実例5. まとめ
第5章 酸化物半導体第1節 次世代半導体としての酸化物半導体の信頼性と可能性1. はじめに2. 酸化物半導体の歴史3. 酸化物半導体の物性4. 酸化物半導体の可能性 － ZnO を例として5. 今後の展望第2節 新規ワイドギャップ半導体・酸化ガリウムの成膜と物性およびMESFET 試作評価1. はじめに2. Ga2O3 の物性、特徴3. 高品質単結晶Ga2O3 基板4. Ga2O3 分子線エピタキシー（MBE）成長5. Ga2O3 MESFET6. まとめ、今後の展開第3節 ワイドギャップ酸化物の界面機能開発 須崎 友文1. はじめに2. ペロブスカイト型酸化物の分極不連続界面3. ワイドギャップ絶縁体界面を利用した仕事関数制御4. 単純酸化物における極性面5. まとめ
第6章 炭素系半導体第1節 ダイヤモンド1 ダイヤモンド構造電子物性と高性能デバイスの可能性 1. はじめに 2. 新たなヘテロ界面創出による二次元正孔ガスのキャリア密度および移動度の向上 3. FET 構造最適化による高耐圧、高周波、耐環境性能向上 4. 高濃度ボロンドープp 型層での超伝導を利用したダイヤモンド超伝導デバイス開発2 n 型ダイヤモンドの創成とバンドエンジニアリング 小泉 聡 1. 半導体ダイヤモンド 2. n 型半導体ダイヤモンド研究の背景と動向 3. リンドープn 型ダイヤモンド薄膜の気相成長 4. リンドープn 型ダイヤモンド薄膜の電子物性 5. n 型ダイヤモンドを利用した半導体デバイス研究と今後の展開3 ダイヤモンドの成膜性 伊藤 利道 1. はじめに 2. （001）基板におけるアンドープダイヤのホモエピ成長 3. （001）微斜面基板におけるアンドープダイヤのホモエピ成長 4. （001）微斜面基板上へのホモエピ成長により作製したダイヤ自立膜 5. ホウ素ドープダイヤのホモエピ成長 6. 窒素ドープダイヤのホモエピ成長 7. リンドープダイヤのホモエピ成長 8. 微斜面基板上にホモエピ成長した多層δリンドープ層 9. おわりに4 ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長と基板整合性 鈴木 一博 1. はじめに 2. 各種基板におけるエピタキシャルダイヤモンド成長 3. おわりに5 低抵抗高濃度ドーピングと低損失デバイス開発 1. はじめに 2. ダイヤモンド半導体のドーピング 3. 金属との接触抵抗 4. ダイヤモンドの持つ特徴的な性質 5. 低抵抗高濃度ドーピング 6. 高濃度ドーピング層を直接利用したパワーデバイス開発 7. まとめ第2節 グラフェン1 グラフェンエレクトロニクスの可能性 1. CMOS 技術とグラフェン 2. グラフェン物性と電気特性 3. グラフェンFET 作製プロセス 4. グラフェンの諸課題 5. グラフェンのRF デバイス応用 6. おわりに2 エピタキシャルグラフェンの電子状態 1. グラフェンの電子状態 2. SiC 基板上にエピタキシャル成長したグラフェン 3. 金属基板上でのエピタキシャルグラフェン 4. おわりに3 デバイス展開に向けたグラフェン合成とプロセスの現状と課題 近藤 大雄 1. はじめに 2. グラフェン合成の進歩と現状 3. グラフェン合成における課題とデバイス化への展望 4. グラフェンデバイス実現に向けた課題と現状 5. 今後の展望   結晶成長・成膜法
第1章 ハイドライド気相成長法 ～ InN を事例として～1. はじめに2. 窒化物半導体結晶HVPE 成長の熱力学解析3. InN のHVPE 成長4. 前駆体二段階生成HVPE によるInN 成長5. おわりに第2章 Na フラックス法によるGaN 結晶育成技術1. はじめに2. Na フラックス法によるGaN 結晶育成技術3. まとめ第3章 固体ソース溶液成長法 ～ AlN 単結晶成膜を事例として～ 寒川 義裕1. 窒化アルミニウム（AlN）自立基板の必要性2. 窒化物半導体の結晶成長機構3. 固体ソースAlN 溶液成長法の開発4. 自然核形成AlN 種結晶を用いた固体ソースAlN 溶液成長5. 固体ソースAlN 溶液成長法の展開第4章 溶液法によるSiC 結晶成長法 ～ SiC を事例として～1. はじめに2. SiC 溶液成長法3. SiC 溶液成長の現状4. おわりに   評価・解析
第1章 結晶性半導体薄膜および異相界面の構造物性評価技術第1節 半導体薄膜およびヘテロ界面の原子構造評価 ～ SiC を例に～1. はじめに2. SiC エピタキシャル膜/ 基板界面、pn 界面における基底面転位の挙動3. エピタキシャル薄膜層/ 基板界面近傍のミスフィット転位の高分解能電子顕微鏡観察4. イオン注入で形成した二次欠陥の高分解能電子顕微鏡観察5. オーム性電極/ エピタキシャル層界面の原子構造観察6. まとめ第2節 計算科学に基づく半導体ナノ界面構造と電子物性の評価1. はじめに2. 理論計算の概要3. 偏析層によるSBH の変調4. 界面乱れによるSBH の変調5. おわりに第3節 ナノ電子デバイスの動作下における電子状態の直接観測法の開発1. はじめに2. 実験3. 結果および考察4. まとめ

第2章 電子分光学的評価研究第1節 半導体表面構造・電荷分布の原子スケール解析を実現する走査プローブ顕微鏡1. はじめに2. 走査型トンネル顕微鏡（STM； Scanning Tunneling Microscope）3. 非接触型原子間力顕微鏡（NC － AFM；Noncontact Atomic Force Microscope）4. ケルビン力顕微鏡（KPFM；Kelvin Probe Force Microscope）5. ルチル型二酸化チタン（110）表面6. 二酸化チタン表面のSTM 観察7. 二酸化チタン表面のNC － AFM 観察8. 二酸化チタン表面のKPFM 解析9. おわりに第2節 光電子分光法による仕事関数とバンドアライメント評価 吉武 道子1. はじめに2. 仕事関数評価のご利益3. 光電子放出と仕事関数4. 光電子放出とバンドアライメント5. おわりに第3節 反射高速電子回折鏡面反射スポットの強度測定に基づく結晶成長過程の観測1. RO の観測と成長機構2. 電子線回折の理論の概要3. RO の機構4. おわりに

第3章 薄膜・界面の量子論・計算科学的評価解析研究第1節 ボンドエンジニアリングによる半導体表面状態図の予測と考察1. はじめに2. 計算方法3. GaAs 表面構造4. InAs ぬれ層表面構造5. GaN 表面構造6. おわりに第2節 酸化シリコン基板上転写グラフェンの量子界面解析と電子物性1. はじめに2. 計算手法3. SiO2 上のグラフェンの物性4. HfO2 上のグラフェン5. まとめ   結び ～次世代半導体が拓くエレクトロニクス展望～1. 多様化し高度化する半導体材料への要求2. 異種材料の界面制御に基づく新世代エレクトロニクス